机译:I-V-T和C-V-T测量显示N型InP上Pd / Ti接触的肖特基势垒参数
机译:n型InP上Pt / Ti肖特基接触的电流-电压-温度(I-V-T)和电容-电压-温度(C-V-T)特性分析
机译:基于I-V-T和C-V-T测量的n型GaN上Pt / Ru肖特基接触的势垒特性
机译:来自I-V-T和C-V-T数据的Au / Mn5Ge3 / n-Ge(111)肖特基势垒特性
机译:n型4H碳化硅的不均匀性及其对肖特基接触电特性的影响。
机译:具有电泳沉积的Pd或Pt纳米粒子的石墨/ InP和石墨/ GaN肖特基势垒用于氢检测
机译:从I-V-T和C-V-T测量得出Pd / V / N-InP肖特基二极管的电传输特性